赖李龙博士，南方科技大学半导体学院（国家卓越工程师学院）产业教授

从事半导体行业训练工作与研读超过28年(始自1997年12月), 主要经验在于半导体集成电路制造之检测分析领域(支持于良率提升,可靠性认证需求与技术开发与研发等), 经历涵盖失效分析/材料分析与反向工程, 技术研究偏向器件领域之电性分析与物性表征(Electrical and Physical tech.), 电子高分辨显微术与尖端成分分析术(SEM/TEM/STEM/FIB/EDS/EELS/APT)与原子力显微分析术(SCM/SSRM/C-AFM)等相关的先进技术, 而实现这些都需要使用复杂高端的工具(Nanoprober)及发展应用(FA). 

教育经历：

上海复旦大学材料物理博士 (2018)

台湾清华大学物理硕士 (1992)

台湾清华大学物理学士 (1990)

工作经历:

华为实验室与鹏芯微分析技术部 (2021-2025) 无锡拍字节 (2019-2021)中芯国际, 芯恩集成电路 (2003-2019)台湾汉磊与茂德科技 (1998-2003) 

研究课题:

包含对先进集成电路工艺技术需求之检测表征需求(5nm以下节点)与后段良率提升需求的失效分析技术, 更多发展将延伸至反向工程(Reversed Engineering)领域做开发.

Ø LaOx新型High-K栅氧材料与工艺的调研与布局(精密检测分析技术的开拓)

Ø N+2及以下逻辑制程良率提升失效分析(FA)能力改善(方法论的开发)

Ø 掺杂载流子(Doping/Carrier Profiling)检测技术的研究与开发

Ø AFM电学技术(C-AFM/SCM/SSRM…)的深究开发与实践

Ø 纳米探针(Nanoprobing)技术的深度开发(DC/AC…)与实践

Ø 产品级动态失效定位(Dynamic Fault Isolation)技术的建立与拓展

相关文献发表:

1. LiLung Lai, Xiaojing Wu*.

Applications of the pulsed current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) techniques for high-resistive gates in MOSFETs

Microelectronics Reliability 63 (2016) 22–30; 

2. LiLung Lai, Xiaojing Wu*.

Device Characteristics to Missing LDD Implantations via Nanoprobing Techniques for Localized Failure Analysis.

Microelectronics Reliability 55 (2015) 1144–1151

3. Yong Jiang, Li-Lung Lai, Jian-Jun Zhou

Single-bit failure analysis at a nanometer resolution by conductive atomic force microscopy.

Microelectronics Reliability 52 (2012) 159–164

4. Li-Lung Lai, International Symposium of Testing and Failure Analysis, 39 (2013), “The Unique and Completed Characteristics of Device Behaviors in the Nanoprobing Analysis and Application for LDD Missing”

5. LiLung Lai, Matthew H. Carpenter, Robin Cantor, Hideo Naito, Microscopy and Microanalysis (2016), “The investigation of chemical shift of Silicon X-ray energy in different stoichiometry or structure with Microcalorimeter EDS”

6. LiLung Lai, Nan Li and Oscar Zhang, China Semiconductor Technology International Conference (2015), “The Approaching of Capacitance-Voltage Measurement toward Real-World Nano-Device”